Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Vinogradov A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Vinogradov A. V. 
Low-temperature Sol-gel Approach for Creating New Functional Nanomaterials [Електронний ресурс] / A. V. Vinogradov, V. V. Vinogradov // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 2. - С. 02PCN29-02PCN29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_2_31
Попередній перегляд:   Завантажити - 643.326 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Drеll V. F. 
Catalase activity in the blood serum and liver of intact rats during the 30-day observation process [Електронний ресурс] / V. F. Drеll, A. A. Vinogradov // Український журнал клінічної та лабораторної медицини. - 2013. - Т. 8, № 1. - С. 87-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ujkl_2013_8_1_20
Попередній перегляд:   Завантажити - 93.031 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Sachenko A. V. 
On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step [Електронний ресурс] / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, A. O. Vinogradov, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, V. M. Anischik, R. V. Konakova, T. V. Korostinskaya, V. P. Kostylyov, Ya. Ya. Kudryk, V. G. Lyapin, P. N. Romanets, V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 1-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_3
We present both theoretical and experimental temperature dependences of contact resistivity <$E rho sub c (T)> for ohmic contacts to the silicon <$E n sup + -n>-structures whose <$E n sup +>-layer was formed using phosphorus diffusion or ion implantation. The <$E rho sub c (T)> dependence was measured in the 125 - 375 K temperature range with the transmission line method, with allowance made for conduction in both the <$E n sup +>-layer and <$E n sup + -n> doping step.
Попередній перегляд:   Завантажити - 668.622 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського